الكشف عن براءة اختراع Apple الجديدة لنظام التخزين الهجين!

نقلت digitimes عن تقرير من Tom's Hardware وأشار إلى أنه مع التطوير المستمر للذاكرة الحيوية ، أصبح تصميم DRAM معقدًا بشكل متزايد بسبب أهداف التطبيق المختلفة. تميل التصميمات التي تركز على تحسين كثافة / سعة التخزين إلى تقليل (أو على الأقل عدم زيادة) عرض النطاق الترددي ، بينما تميل التصميمات التي تزيد من عرض النطاق إلى تقليل (أو على الأقل عدم زيادة) السعة وكفاءة الطاقة. بالنسبة لمصممي SoC ، أصبحت كيفية تحقيق أفضل توازن بين عرض النطاق الترددي للتخزين والسعة واستهلاك الطاقة والتكلفة استجابة لمتطلبات تطبيق الرقاقة تحديًا كبيرًا.

يمكن أن يشتمل نظام التخزين الهجين من Apple المستند إلى تقنيتها الجديدة الحاصلة على براءة اختراع على نوعين مختلفين على الأقل من تخزين DRAM (على سبيل المثال ، أحدهما هو DRAM عالي الكثافة والآخر منخفض الكثافة أو منخفض الكمون وعالي النطاق الترددي DRAM). يساعد هذا في تحقيق عملية موفرة للطاقة وزيادة سعة التخزين للأجهزة المحمولة والأجهزة الأخرى التي تعتبر استهلاك الطاقة ونسبة الكفاءة إلى الطاقة مفتاحًا.

يُذكر أن براءة الاختراع تصف استخدام تقنيات ربط متعددة مثل عبر السيليكون عبر (TSV) لتحقيق العديد من أنظمة التخزين الهجينة التي تجمع بين ذاكرة التخزين المؤقت عالية السرعة DRAM والذاكرة الحيوية الرئيسية. بالإضافة إلى ذلك ، يغطي طلب براءة الاختراع شركة نفط الجنوب وليس معالج الكمبيوتر.

قامت شركة Apple بتقديم طلبات براءات الاختراع المذكورة أعلاه في مكتب البراءات الأوروبي (EPO) ، بالإضافة إلى وكالات تنظيم براءات الاختراع في الولايات المتحدة والصين واليابان.